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Vishay推下一代D系列MOSFET具有超低导通电阻超低栅极电荷电源技术万芳

发布时间:2020-02-14 11:45:24 阅读: 来源:安全阀厂家

Vishay推下一代D系列MOSFET 具有超低导通电阻、超低栅极电荷 - 电源技术 - 电子工程网

D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的栅极电荷分别为9nC、6nC和45nC,具有最佳的栅极电荷与导通电阻乘积,该值是用在功率转换应用中MOSFET的关键优值系数(FOM),400V、500V和600V器件的FOM分别为7.65 Ω-nC、15.6 Ω-nC和12.3 Ω-nC。

新的D系列MOSFET采用简单的栅极驱动电路、非常耐用的本体二极管,易于设计到更紧凑、更轻、发热更少的终端产品中。器件符合RoHS指令,符合IEC 61249-2-21的无卤素规定,雪崩(UIS)定级让器件能够稳定可靠地工作。

型号

电压 (V)

ID @ 25 C (A)

RDS(ON) @

max 10 V ( )

Qg 典型值 (nC)

封装

SiHP6N40D

400

6

1.0

9

TO-220

SiHF6N40D

400

6

1.0

9

TO-220F

SiHP10N40D

400

10

0.55

15

TO-220

SiHF10N40D

400

10

0.55

15

TO-220F

SiHG25N40D

400

25

0.17

44

TO-247

SiHP25N40D

400

25

0.17

44

TO-220

SiHU3N50D

500

3

3.0

6

IPAK/TO-251

SiHD3N50D

500

3

3.0

6

DPAK/TO-252

SiHD5N50D

500

5

1.5

10

DPAK/TO-252

SiHP5N50D

500

5

1.5

10

TO-220

SiHF5N50D

500

5

1.5

10

T-Max

SiHU5N50D

500

5

1.5

10

IPAK/TO-251

SiHP8N50D

500

8

0.85

15

TO-220

SiHF8N50D

500

8

0.85

15

TO-220F

SiHP14N50D*

500

14

0.40

30

TO-220

SiHG14N50D*

500

14

0.40

30

TO-247AC

SiHF18N50D*

500

18

0.27

37

TO-220F

SiHG460B/IRFP460B

500

20

0.25

85

TO-247AC

SiHG22N50D*

500

22

0.23

52

TO-247AC

SiHG32N50D*

500

32

0.16

72

TO-247AC

SiHS36N50D*

500

36

0.13

92

Super TO-247

SiHP17N60D

600

17

0.34

45

TO-220

SiHG17N60D

600

17

0.34

45

TO-247AC

*目标标准,产品即将面世

新的D系列MOSFET现可提供样品,将在2012年3季度实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十六周。

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